钛酸锶缺陷化学研究进展被引量：4

The Development of Studies on the Defect Chemistry of SrTiO 3

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摘要综述了未掺杂及掺杂钛酸锶的缺陷、钛锶比的影响以及钛酸锶的缺陷化学热力学等方面的研究进展。 This review paper discusses the development of studies on the defects of undoped and doped SrTiO 3、 effect of Ti/Sr ratio and the thermodynamics of defect chemistry.

作者孙献忠赵景畅鲍慈光杨宗璐

机构地区云南大学化学系

出处《云南化工》 CAS 1997年第2期9-12,20,共5页 Yunnan Chemical Technology

基金云南省教委应用基础研究基金

关键词钛酸锶缺陷掺杂剂晶体陶瓷半导体 strontium titanate material defect dopant

分类号 TN304.82 [电子电信—物理电子学]

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5YIN Ming-zhi.Science Letters:Chemically processed Nb-doped SrTiO_3 films and properties[J].Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering),2006,7(8):1436-1439. 被引量：6
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7陈维,王冲,陈寿田.MgTiO_3对SrTiO_3-Bi_2O_3nTiO_2系统的微观结构和介电性能的影响[J].西安交通大学学报,1997,31(4):6-11. 被引量：8
8Ji H M, Liang H, Hao J J. Inflluence of Li2CO3-SiO2 Additive on the properties and processing of double function SrTiO3-based low voltage varistor ceramics [J]. Trans Tianjin Univ, 2001, 7(2): 128-130. 被引量：1
9Kingary W D. Introduction to Ceramics [M]. New York: A Wiley-Interscience, 1976. 486-501. 被引量：1
10P Bao,T J Jackson,X Wang,M J Lancaster.Barium strontium titanate thin film varactors for room-temperature microwave device applications[J].Journal of Physics D: Applied Physics.2008(6) 被引量：1

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1周国香,周倩倩,李佳,高雅慧.SrTiO_3晶体铁弹相变的研究[J].河北工业大学学报,2013,42(6):68-71. 被引量：2
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9庞文善,刘世丰.MgO包覆SrTiO3基复合陶瓷的介电性能研究[J].中国科技博览,2015,0(16):400-400.
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1张志芹.PTC材料的特性及其应用[J].现代物理知识,2000,12(4):27-29. 被引量：1
2张忱.陶瓷材料的自己诊断功能[J].电子材料快报,1995(11):1-2.
3安迪生.热敏电阻器[J].国外传感技术,2000,10(4):131-133.
4王德君,郭淳,桂治轮,李龙土.低电阻率的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷[J].功能材料,1997,28(6):651-652.
5朱小荣.PTC材料的制造要点[J].广东电子,1990(2):41-49.
6顾禄如,黄仲藏.预烧条件对BaTiO3陶瓷半导体影响[J].电子元件,1994(4):20-22.
7穆家华.PTC元件和PTC产品[J].机电工程,1989,6(5):38-42.
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9宋祥云,马利泰,温树林,王卉,朱祖昌.半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究[J].电子显微学报,1990,9(3):197-197.
10史玉玲,孙甬,李鑫.新型陶瓷湿敏元件的研制[J].沈阳工业大学学报,1989,11(2):47-53. 被引量：1

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