摘要
分别采用传统热处理(CFA)和快速热处理(RTA)对室温溅射在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)进行了晶化处理.结果表明:RTA倾向于形成(111)占优取向,而CFA倾向于形成(100)占优取向.不同工艺条件下的取向选择来源于形核机制的不同.在CFA条件下,形核在薄膜表面的PbO(100)处发生,导致(100)占优取向;在RTA条件下,形核在基片附近的Pt3Pb(111)/PZT界面处发生,导致(111)占优取向.铁电性能测试表明,由RTA处理得到的具有(111)占优取向的PZT薄膜剩余极化达到35μC/cm2.
In this paper, the amorphous Pb（Zr,Ti）O3（PZT） thin films sputtered on Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100） substrates at room temperature were crystallized by conventional annealing （CFA） and rapid thermal annealing （ RTA）, respectively. It was found that RTA process favored, the （111） -preferred orientation in PZT thin films while the CFA process favored the （100）-preferred orientation. The different orientation selection might come from the different nucleation mechanism. In CFA, the nucleation occurred from the PbO （100） of the film surface which led to （100） -preferred orientation. While in RTA, the （ 111 ） -preferred orientation grains nucleated from the Pt3Pb （111 ）/PZT interface near the substrate. The RTA-derived （111）-preferentially oriented PZT thin films exhibited a high remnant polarization of 35 μC/cm^2.
出处
《四川师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期114-117,共4页
Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）
基金
国家973基础研究基金(51310Z04-1)资助项目
