绝缘栅双极型大功率晶体管──IGBT

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摘要绝缘栅双极型大功率晶体管ＩＧＢＴ北京邮电大学杨晓月绝缘栅双极型晶体管ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧｒｉｄｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）是一种新型大功率半导体器件．它集ＶＭＯＳ管电压激励和ＧＴＲ导通电压小的优点于一体，为电压控制通断的自关断器件...

作者杨晓月

机构地区北京邮电大学

出处《电信技术》 1997年第6期42-43,共2页 Telecommunications Technology

关键词大功率晶体管绝缘栅双极型

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电信技术

1997年第6期

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