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电子辐照对 IGBT 关断和通态特性的影响

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摘要分析了ＩＧＢＴ关断电流波形。指出ＩＧＢＴ的电流下降波形由迅速消失的ＭＯＳＦＥＴ电流和基区载流子复合引起的指数衰减电流两部分组成。给出了电流下降波形与基区电子辐照剂量的关系及关断时间与通态压降的折衷关系。

作者冯玉春王晓宝罗晋生弓小武

机构地区西安电力电子技术研究所西安交通大学

出处《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第2期94-96,共3页 Power Electronics

关键词电子辐照双极性晶体管 IGBT

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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电力电子技术

1997年第2期

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