高频CB工艺与硅超高速集成运放

High--Frequency CB Process and Very High--Speed Integrated Operational Amplifier

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摘要本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况. The design of circuit and layout, study of process for silicon very high--speed integrated operational amplifier are described in the peper.

作者王界平龙弟光王清平

机构地区电子工业部第二十四研究所

出处《电子器件》 CAS 1997年第1期24-27,共4页 Chinese Journal of Electron Devices

关键词高频互补双极工艺超高速集成运算放大器 High--Frequency Complementary Bipolar Process, Very High--Speed Integrated Operational Amplifier

分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统]

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4王界平,王清平,苏韧,刘先锋.高频互补双极工艺探析[J].微电子学,1995,25(5):14-18. 被引量：2
5何开全,谭开洲,李荣强.高性能模拟集成电路工艺技术[J].微电子学,2004,34(4):398-401. 被引量：7
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8龙第光,王界平,李秉忠.200V/μs高速宽带运算放大器的设计考虑[J].微电子学,1997,27(1):43-46.
9James Karki.高速放大器制程新技术满足新一代低功耗应用需求[J].电子与电脑,2009,9(4):47-51. 被引量：1
10张利春,倪学文,王阳元.多晶硅发射极超高速集成电路工艺[J].Journal of Semiconductors,2001,22(6):811-816.

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