摘要
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米棒的形貌，纳米棒的直径在200-600nm之间。我们对镁层的作用进行了简单探讨。
GaN thin films were successfully prepared on the Si （111） substrates through ammoniating Ga2O3/Mg thin films deposited by magnetron sputtering. The results of XRD, XPS, SAED and HRTEM confirm that the as-grown films are single-crystal hexagonal GaN with wurtzite structure. We observed the morphology of GaN nanorods with the diameter ranging from 200 to 600nm by SEM. We discussed the function of the Mg middle layer briefly.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期193-194,共2页
Journal of Functional Materials
基金
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025)
国家自然科学基金资助项目(90301002)
