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基于单晶硅梁的静电RF MEMS开关 被引量:3

Electrostatic RF MEMS Switches Based on Mono Crystal Silicon Cantilever Structure
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摘要 RFMEMS开关是低功耗、低损耗高频通讯电路和系统的关键部件,静电驱动RFMEMS开关因具有零直流功耗、开关时间短、结构简单、易集成的优点而成为研究热点,但是驱动电压高、薄膜应力变形严重、寿命短等问题制约了其发展,提出了一种基于单晶硅梁的推拉式静电RFMEMS开关结构,能够解决静电RFMEMS现有的缺陷。 RF MEMS switches offer a substantially higher performance than pin or FET diode switches. In this paper, a push-pull type RF MEMS switch is proposed, which utilizes mono crystal silicon cantilever structure for low-voltage operation and long-term reliability.
出处 《电子工业专用设备》 2007年第1期15-17,61,共4页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
基金 国家"863"计划资助项目(批准号:2005AA404210) 中国科学院微电子所所长基金支持项目
关键词 射频微机械开关 单晶硅梁 静电驱动 RF MEMS switches Electrostatic actuation Relays
  • 相关文献

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同被引文献20

引证文献3

二级引证文献3

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