摘要
文章介绍了一个正向设计,并已成功流片的FIFO存储器电路结构设计及关键技术,重点研究了实现该电路的两类关键技术,存储电路和控制逻辑。文中的设计思想和具体的逻辑电路可以通用于所有先进先出存储器的设计。
In this paper, we discuss a FIFO memory electrocircuit, which is designed from the top down and have been fabricated successfully. Simultaneously we sum up the realization of two pivotal technology：RAM array and control logic. The idea of design and material logic circuit can be used in all the designs of First-In/First Out memory.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第12期115-117,共3页
Microelectronics & Computer
基金
国家自然科学基金项目(90407016)
