摘要
以单分散性聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）微球自组装形成的有序胶体晶体结构为模板，制备了铟锡氧化物（ITO）有序大孔材料．以扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）以及低温N2吸附／脱附等方法对ITO大孔材料的形态及其比表面积进行了表征．结果表明，烧结温度在500℃时，能够得到较为完善的三维ITO大孔材料，空间排布高度有序，其有序结构与模板中PMMA微球自组装方式完全相同．孔径大小均匀（～450nm），较之PMMA微球有所收缩，BET比表面积为389m^2·g^-1，孔容为0．36cm^3．g^-1．此外，发现Sn掺杂率物质的量比为5％时，在真空中退火，ITO大孔材料的导电性能最好，电阻率为8．2×10^-3Ω·cm，初步讨论了ITO大孔材料的导电机制，认为氧缺位是获得较好电性能的主要原因．
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2006年第9期933-942,共10页
Science in China(Series E)
