摘要
介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。
In the present review, the measuring principle of reflectance difference spectroscopy （RDS） is given. As a powerful tool in the surface and interface analysis technologies, the application of RDS to the research on semiconductor materials is summarized along with the origins of the in-plane optical anisotropy of semiconductors. And it is believed that RDS will play an important role in the electrooptic modification of Si-based semiconductor materials.
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期1185-1189,共5页
Spectroscopy and Spectral Analysis
基金
国家自然科学基金(60336010
60390074
90401001)
中国科学院专项计划项目(1731000500010)资助
关键词
偏振差分反射光谱
半导体
平面内光学各向异性
电光改性
Reflectance difference spectroscopy
Semiconductor
In-plane optical anisotropy
Electrooptic modification
