标准之争继续市场容量巨大——正在起飞的超宽带无线电技术UWB

Emerging UWB technology

下载PDF

导出

作者程广

机构地区《中国无线电》记者

出处《中国无线电》 2006年第6期10-12,共3页 China Radio

关键词超宽带无线电技术市场容量 UWB 标准起飞高速数据传输通信方式短距离

参考文献1

1赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤.源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟[J].Journal of Semiconductors,2004,25(6):735-740. 被引量：9

1Hite L R,Lu H,Houston T W,et al.An SEU resistant 256K SOI SRAM[].IEEE Transactions on Nuclear Science.1992 被引量：1
2Alles M L,Kerns S E,Massengill L W.Body tie placement in CMOS/SOI digital circuits for transient radiation environments[].IEEE Transactions on Nuclear Science.1991 被引量：1
3Davis G E,Hite L R,Blake T G W,et al.Transient radiation effects in SOI memories[].IEEE Transactions on Nuclear Science.1985 被引量：1
4Boesch H E,Taylor T L,Hite L R,et al.Time-dependent hole and electron trapping effects in SIMOX buried oxide[].IEEE Transactions on Nuclear Science.1990 被引量：1
5Benedetto J M,Boesch H E.The relationship between 60 Co and 10keV X-ray damage in MOS devices[].IEEE Transactions on Nuclear Science.1986 被引量：1
6Fleetwood D M,Tsao S S,Winokur P S.Total-dose hardness assurance issures for SOI MOSFET[].IEEE Transactions on Nuclear Science.1988 被引量：1

1赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤.Influence of Floating Body Effect on Radiation Hardness of PD SOI nMOSFETs[J].Journal of Semiconductors,2005,26(2):234-237.
2赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,司红.一种抗辐照SOI反相器[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1829-1832. 被引量：3
3张继合.在新闻与散文之间[J].采写编,2006(2):38-38.
4辛明瑞,时晨,高德远,张伟功.面向空间应用的片上系统集成技术研究[J].微电子学与计算机,2006,23(6):194-197. 被引量：6
5赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤.辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响。[J].固体电子学研究与进展,2006,26(3):304-306.
6赵德益,吴龙胜,于洪波,刘佑宝.H型栅/源漏非对称结构CMOS在PDSOI标准单元建库中的应用[J].科学技术与工程,2009,9(10):2597-2600.
7唐威,刘佑宝,吴龙胜,赵德益,卢红利.空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现[J].吉林大学学报（信息科学版）,2010,28(4):365-371.
8王忠芳,谢成民,赵德益,吴龙胜,刘佑宝.基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路[J].武汉大学学报（工学版）,2011,44(2):245-248.

中国无线电

2006年第6期

内容加载中请稍等...