摘要
研究出一种用流延法制作ＡＩＮ陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的ＡＩＮ基片。经１６５０℃，保温２ｈ无压烧结制得的基片，其热导率达１３０Ｗ／（ｍ·Ｋ）、密度为３．３４ｇ／ｃｍ￣３，表面光滑平整，瓷体结构均匀，性能达到用干压法制备的同类基片的性能。
A newly developed process for making AIN substrate-tape-casting formation,firing at1 650℃,2 hrs, nonpressure-makes it possible to produce AIN substrates of better performance.The performances of the substrate so acquired are equal to those of the substrate made with press formation method,conductivity 130 W/ (m.K),density 3.34 g/cm￣3,smooth surface,homogeneoun structure.
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1996年第1期20-23,共4页
Electronic Components And Materials
基金
国家自然科学基金
关键词
氮化铝陶瓷
基片
流延成型法
工艺
AIN ceramic
substrate
tape-casting formation
process
