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采用GaN p-n结制作的可见光-不可见光紫外线光电探测器

Visible-Blind Ultraviolet Photodetectors Based on GaN p-n Junctions

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摘要报道了在 GaN p-n 结上制作的可见光-不可见光紫外线光电探测器。这种探测器约在370nm 时有一突变的长波长截止波长,在369nm 时的响应度高达0.09A/W。在325nm 时测得的上升时间和下降时间为300μs。

作者 Q.Chen 李秀清

出处《半导体情报》 1996年第5期46-47,共2页 Semiconductor Information

关键词氮化镓 PN结光电探测器紫外线

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN382

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半导体情报

1996年第5期

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