磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用被引量：3

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摘要 MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。

作者徐迎晖

机构地区北京邮电大学信息安全中心

出处《电子技术（上海）》 2006年第3期60-62,共3页 Electronic Technology

关键词随机存储器 MRAM 磁电阻应用原理存储数据移动设备替代产品数字产品芯片技术

同被引文献15

1崔培林,郭黎烨,李毅,田文波,沈奇.基于国产抗辐照器件的数据复接存储技术研究[J].航天标准化,2020(2):16-19. 被引量：1
2潘建国,阙沛文,雷华明.基于FPGA的高速大容量数据采集系统设计[J].电子测量技术,2008,31(9):166-169. 被引量：11
3雷馨.磁阻式随机存储器MRAM在片上高速缓存方面的应用[J].重庆科技学院学报（自然科学版）,2010,12(5):164-167. 被引量：3
4王源,贾嵩,甘学温.新一代存储技术：阻变存储器[J].北京大学学报（自然科学版）,2011,47(3):565-572. 被引量：14
5廉洁,周稳稳,石西增,高云华.多靶标生物标志物检测的微流体磁敏生物传感器研制[J].分析化学,2013,41(9):1302-1307. 被引量：5
6刘明刚,施建礼.基于FPGA高速大容量数据采集与存储系统[J].仪表技术,2014(5):25-27. 被引量：2
7钟喜春,曾德长,魏兴钊,顾正飞.巨磁电阻材料的研究与应用[J].金属功能材料,2002,9(3):5-8. 被引量：5
8任勇峰,刘晨晖,李辉景.基于NANDFLASH的双备份数据存储器的设计与实现[J].电子器件,2017,40(4):862-867. 被引量：8
9董振兴,朱岩.一种星载NAND FLASH板级功能快速验证设计[J].现代电子技术,2016,39(14):32-34. 被引量：1
10李欣,禹霁阳,牛跃华,李宗凌,汪路元.基于分级缓存加速的高可靠高速星载固存设计[J].计算机测量与控制,2019,27(10):186-191. 被引量：5

电子技术（上海）

2006年第3期

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