LSI中的金属化工艺

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摘要钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。

作者谢明纲

机构地区中国科学院上海冶金研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期41-44,共4页 Semiconductor Technology

关键词 LSI 金属化工艺双层布线

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半导体技术

1990年第4期

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