非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法被引量：1

STUDY OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN SEMICONDUCTORS BY CONTACTLESS MEASUREMENT METHOD:MICROWAVE REFLECTANCE TECHNIQUE

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摘要介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法（ＭＲ）。 A contactless method of microwave reflectance (MR) measurement for the minority carrier lifetime in semiconductors was introduced and compared with the photoconduction decay (PCD) measurement method.

作者王正秋龚海梅李言谨周宝庆方家熊

机构地区中国科学院上海技术物理研究所

出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期77-80,共4页 Journal of Infrared and Millimeter Waves

关键词少子寿命微波反射法汞镉碲 minority carrier lifetime, microwave reflectance method,contactlees, HgCdTe.

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.26

引文网络
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参考文献2

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红外与毫米波学报

1996年第1期

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