摘要
中科院物理所北京凝聚态物理国家实验室（筹）方忠和姚裕贵，利用第一性原理方法计算了半导体和简单金属的自旋霍耳电导率，发现内秉自旋霍耳电导率具有丰富的符号变化，这一点与外秉自旋霍耳效应有着本质上的不同，这个属性有可能被用于分辨自旋霍耳效应的内秉和外秉机制。他们并预言简单金属钨和金具有较大的自旋霍耳效应且符号相反，同时发现强散射并不会抑制这两种金属中的自旋霍耳效应，也就是说在强散射情形下自旋霍耳电导率仍然具有较大的值，这使得它们有可能是一种潜在的可应用于自旋电子学器件中的材料。
出处
《中国基础科学》
2005年第6期53-53,共1页
China Basic Science
