浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料被引量：2

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摘要冷阴极材料由多孔钨、浸渍氧化物而制成。冷阴极材料最大次级电子发射系数δｍａｘ＝４．３；相对应的电子能量Ｅ＿ｏ＝４００ｅＶ；第一交叉点的能量约５０ｅＶ。

作者潘奇汉

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期277-280,共4页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词冷阴极材料多孔钨浸渍钨次级电子发射体

同被引文献6

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稀有金属

1995年第4期

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