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XeCl激光与铜蒸气激光诱导硅中掺硼的比较
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摘要
讨论了XeCl激光和铜蒸气激光(CVL)诱导硅中掺硼的实验比较结果。CVL诱导掺硼是首次由本课题完成的。激光掺杂之P-N结结深可小于0.2μm,表面硼浓度大于1021cm-3。CVL激光掺杂制成的太阳能电池最高光电效率比XeCl激光高8%,表明CVL激光在激光诱导掺杂中具有明显优势。
作者
钱育军
潘佰良
机构地区
浙江大学物理系
出处
《光学仪器》
1995年第4期12-15,共4页
Optical Instruments
基金
国家自然科学基金
关键词
铜蒸气激光
诱导掺杂
氯化氙激光
分类号
TN248.21 [电子电信—物理电子学]
TN305.3
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光学仪器
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