绝缘栅双极晶体管的原理与应用(下)
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1刘湘涛.MOS与CMOS半导体器件使用技巧[J].电工技术,1991(8):35-37.
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2钱小工.进入新阶段的IGBT[J].半导体情报,1989(6):22-24.
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3吴雄.绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其应用[J].电子与自动化,1994,23(2):26-31. 被引量:3
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4刘定建,苗宏.绝缘栅双极晶体管的原理与应用(上)[J].电子与仪表,1995(3):23-26.
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5张开如,程斌.一种实用的IGBT驱动电路[J].电子与自动化,1995,24(5):42-43.
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6刘云峰,陈国平.IGBT的过流保护策略[J].电子器件,1999,22(1):31-39. 被引量:7
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7李恩玲,周如培.IGBT的发展现状及应用[J].半导体杂志,1998,23(3):48-51. 被引量:11
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8国际整流器公司推出POWIRTRAIN模块新版本——引进第四代高性能绝缘栅双极晶体管产品[J].世界电子元器件,1998(4):55-55.
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9张昌利,陈治明.高压IGBT制造技术的最新动向[J].半导体情报,1997,34(5):46-50. 被引量:4
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10陈裕权.世界上首只输出功率超过100W的绝缘栅HEMT[J].半导体信息,2006,0(3):12-13.
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