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复合电沉积法制备SiC_p/Cu复合材料的工艺研究 被引量:8

The Processing of SiC_p / Cu CompoSite by CompoSite Plating
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摘要 研究了用复合电沉积法制备SiC_p/Cu复合材料的工艺。结果表明,用复合电沉积法制备颗粒增强金属基复合材料是一种切实可行的方法。当镀液中SiC颗粒含量为15g/1,电流密度为4A/dm ̄2,电镀温度15~20℃,板泵搅拌时,可获得含有20vol%SiC_p的SiC_p/Cu复合材料。 he processing of SiC_p/Cu compoite by compeite plating has been investigated, The results show that it is available that the particle-reinforced com poite is preduced by the method of compcsite plating.The 20vol%SiC_p/Cu compossite can be obtained in the case of 15%SiC concentration in the plating bath,4A/dm ̄2 and 15~20℃。
机构地区 天津大学材料系
出处 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期23-25,共3页 Journal of Materials Engineering
关键词 铜基 复合材料 复合电沉积 碳化硅 SiC_p,copper-matrix composite,compossite plating
  • 相关文献

参考文献1

  • 1郭鹤桐, 张三元..复合镀层[M],1991.

同被引文献111

引证文献8

二级引证文献54

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