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纵向注入逻辑

Vertical Injection Logic
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摘要 描述一种新的注入逻辑,即纵向注入逻辑,在这种逻辑中,对器件的结构作了特殊的设计以取得高封装密度和低功耗-延时乘积。普通注入逻辑(I ̄2L)的横向PNP注入极被纵向结构所代替。对于在I ̄2L中影响封装密度和功耗-延时乘积的因素进行了分析,并且给出了这种新结构的设计依据。 A novel form of integrated injection Logic is described,in which the device structurehas been designed specifically for high packing density and low power-delay product。The lateral PNP injector of conventional I ̄2L has been replaced by a verticalarrangement.Factora affecting packing density and power-delay product in I ̄2L are an-alyzed and design considerations for the new structure are given。
作者 孙崇德
出处 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1995年第3期35-39,共5页 Journal of Jinan University(Natural Science & Medicine Edition)
基金 美国印第安那大学合作项目
关键词 纵向注入逻辑 封装密度 逻辑电路 集成注入逻辑 vertical injection logic,power-delay product,packing density,schottkybarrier structure,lateral PNP injector
  • 引文网络
  • 相关文献

参考文献3

  • 1孙崇德编著..集成电路原理与应用[M].北京:人民邮电出版社,1984:568.
  • 2孙崇德编著..模拟组件及其应用[M].北京:科学出版社,1983:348.
  • 3孙崇德等编..无线电电子学 下[M],1978:418.
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