等离子体处理在硅中引入的深能级
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3一方.微波等离子体处理装置[J].等离子体应用技术快报,1997(8):7-8.
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4张家琦,王磊,李柳暗,王青鹏,江滢,朱慧超,敖金平.Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate[J].Chinese Physics B,2016,25(8):357-360. 被引量：1
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