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N503萃取分离Ga、In及数学模拟

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摘要 研究了单、双组分在 H_2SO_4、HCl 体系中用 N503萃取分离 Ga、In 的规律;绘制了萃取平衡等温线、分配比与料液中金属离子浓度、料液酸度的关系图,求出不同条件下的分离因素、半萃取酸度及半萃取 NaCl 浓度;在此基础上进行了串级萃取分离,获得了纯度大于99%的金属Ga、In 产品,为工业上分离 Ga、In 提供了依据。
作者 穆光杰
机构地区 东北民族学院
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期369-373,共5页 Chinese Journal of Rare Metals
基金 中国科学院科学基金会
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