摘要
目的:比较半导体激光穴位照射与口服立普妥药物治疗高脂血症的疗效及副作用。方法:102例高脂血症患者随机分为2组各60例,分别进行半导体激光穴位照射与立普妥药物治疗,比较2组患者治疗前后高脂血症各项指标、肝功能及不良反应。结果:治疗后2组各项指标均有不同程度改善,激光组在提高HDL-C方面优于药物组,且无不良反应。结论:半导体激光穴位照射可明显提高高脂血症患者的降脂效果。
出处
《中国康复》
2005年第3期167-167,共1页
Chinese Journal of Rehabilitation
