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“第5届欧洲SiC及相关材料会议”——重点讨论衬底和外延生长

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摘要在意大利召开的(2004年)第5届欧洲SiC及相关材料会议(ECSCRM)的重点是：消除SiC衬底中的微管道，实时改变生长条件以降低GaN／Si异质结中的应变，在Si衬底上生长立方SiC。

作者邓志杰

出处《现代材料动态》 2005年第6期4-6,共3页 Information of Advanced Materials

关键词相关材料 SIC 第5届外延生长会议欧洲 2004年生长条件 SI衬底微管道意大利异质结 GAN

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.24

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现代材料动态

2005年第6期

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