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竖直腔面发射半导体激光器 被引量:4

Vertical-cavity Surface-emitting Semiconductor Lasers
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摘要 本文评述竖直腔面发射半导体激光器的结构、晶体生产、器件制备、器件特性以及这种激光器的应用和发展前景。 The structure, crystal growth, fabrication and characteristics of the verticalcavity surface-emitting lasers (VCSEL) as well as their applications and prospects are reviewed in this paper.
作者 钟景昌
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期345-349,共5页 Chinese Journal of Lasers
关键词 半导体激光器 激光器 semiconductor lasers, surface-emitting laser (VCSEL)
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Yang Y J,Appl Phys Lett,1993年,62卷,600页 被引量:1
  • 2Tai K,Appl Phys Lett,1989年,55卷,2473页 被引量:1
  • 3Tai K,Electron Lett,1989年,25卷,1644页 被引量:1

同被引文献49

引证文献4

二级引证文献4

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