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硅衬底上异质外延GaAs
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摘要
综述了GaAs/Si异质外延材料的性能及应用前景,分析了进一步提高材料质量所面临的问题,重点介绍了降低外延层缺陷方面的研究进展。
作者
余怀之
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期66-70,50,共6页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
硅
衬底
砷化镓
外延生长
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
1994年 第1期
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