SDB及其减薄技术的研究
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1童勤义,徐晓莉,沈华,张会珍.硅片直接键合机理及快速热键合工艺[J].电子学报,1991,19(2):27-33. 被引量：8
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2赵策洲,刘恩科,李国正.SOI梯形大截面单模脊形波导的研制[J].光学学报,1994,14(7):783-784. 被引量：8
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3张佐兰.硅片直接键合技术及其应用[J].电子工艺技术,1991(4):14-16.
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4詹娟,孙国樑,刘光廷.硅片直接键合界面的存在对器件性能的影响[J].微电子学,1993,23(6):43-46.
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5周玉清,杨大宇.离子减薄技术的改进[J].电子显微学报,1989,8(3):66-68.
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6唐国洪,陈德英,周健.SDB／MCT新型功率器件的研究[J].微电子学与计算机,1995,12(2):54-55. 被引量：2
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7曹广军,秦祖新,余跃辉,彭昭廉.硅片直接键合工艺中的热过程[J].微电子学,1993,23(6):47-49. 被引量：1
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8赵策洲,李国正,刘恩科,刘西钉,高勇.SOI定向耦合器研制[J].Journal of Semiconductors,1995,16(12):928-931. 被引量：1
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9唐国洪,陈德英,周健.新型功率器件MCT的研究[J].电子器件,1993,16(2):87-93.
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10童勤义,徐晓莉.硅片直接键合机理研究[J].应用科学学报,1990,8(4):303-308. 被引量：5
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