SIT制造中的低温二次外延工艺

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摘要ＳＩＴ之类的隐埋栅结型场效应管，在制作工艺中，为了达到把“栅”隐埋起来的目的，必须采用二次外延工艺．本文讨论了二次外延工艺的特点及采用硅烷外延实现二次外延的质量控制。

作者陈显萼姚海伦

机构地区杭州电子工业学院

出处《半导体杂志》 1994年第3期6-11,共6页

关键词 SIT 二次外延隐埋栅结型场效应器件

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半导体杂志

1994年第3期

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