130：87966u 发射红光的磷化镓型半导体基板的制造方法

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摘要本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件，其制造方法是先生长n型单晶，此单晶含有1．0×10^16个原子／c．c，用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装，生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S，P型CaP可掺杂O或Zn。

作者华小西付玉信

出处《磷酸盐工业》 2005年第1期56-56,共1页

关键词磷化镓半导体制造方法查理斯基封装法

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]

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磷酸盐工业

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