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关于CVD膛腔清洗工艺中降低成本及减少释放量的研究

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摘要 随着以NF_3为基础的工艺发展在新一代CVD膛腔清洗设备中的应用,这使得半导体工业中所释放的PFC量大大降低。而对于已有的老设备而言,为了降低成本,减少释放量,所能选择的方法就是使用经优化后的现有C_2F_6清洗配方、以及经评价选用新的产品。本篇论文将C_4F_8(DuPont^(TM) Zyron8020~)、C_3F_8及优化后的C_2F_6清洗工艺作比较研究。论文中的数据及第一手材料都显示:CxFy膛腔清洗气体家族中,C_2F_8的气体使用量最少、PFC释放量最低。
作者 Gary Loh 陆晴 吴光耀
机构地区 杜邦~TM Zyron~电子气体部
出处 《集成电路应用》 2004年第9期34-36,共3页 Application of IC
关键词 C2F6 C3F8 CVD TM 家族 释放量 论文 降低成本 半导体工业 产品
分类号 TN86 [电子电信—信息与通信工程] R776.4 [医药卫生—眼科]
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参考文献6

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集成电路应用
2004年 第9期

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