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应用于碳纳米管能带结构的Hckel腜

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摘要 我们用H櫣ckel腜?(HMO)计算了碳纳米管的电子结构 ,研究了其能带与管径、螺旋度的关系。详细给出了其能带的计算方法 ,计算结果表明 ,(3m +1,0 )、(3m +2 ,0 )型管的能隙与管径的关系几乎按同一规律逐渐减小变化 ,(3m ,0 )型管在费米面附近存在约 0 .0 4eV的能隙 ,显示出窄隙半导体管的特征 。
出处 《湘潭师范学院学报(自然科学版)》 2005年第1期65-68,共4页 Journal of Xiangtan Normal University (Natural Science Edition)
基金 湖南省教育厅资助科研项目 ( 0 4C2 0 3 )
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参考文献9

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