IBM采用应变锗将晶体管工作速度提高到3倍

原文传递

导出

摘要 IBM日前开发成功了采用应变锗（Strained Germanium)将晶体管工作速度提高3倍的新技术。

出处《微电脑世界》 2004年第24期18-18,共1页 PC World China

关键词 IBM公司应变锗晶体管工作速度

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1Kenneth E.Lee,Eugene A.Fitzgerald,Lionel C.Kimerling,Jurgen Michel.Efficient above-band-gap light emission in germanium[J].Chinese Optics Letters,2009,7(4):271-273.
2郭辉,王悦湖,张玉明,乔大勇,张义门.Formation of the intermediate semiconductor layer for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation[J].Chinese Physics B,2009,18(10):4470-4473.
3催生高速芯片德国科学家研制超导锗晶体[J].电源技术应用,2009,12(7):58-58.
4李冲,薛春来,刘智,成步文,李传波,王启明.Zero-bias high-responsivity high-bandwidth top-illuminated germanium p–i–n photodetectors[J].Chinese Physics B,2014,23(3):640-644.
5张维连,刘彩池,王志军,冀志江.Influence of Impurity Germanium on Property of CZ-Si[J].Rare Metals,1994,13(4):292-295.
6Amit Chaudhry,J. N. Roy.Analytical Modeling of Quantum Mechanical Tunneling in Germanium Nano-MOSFETS[J].Journal of Electronic Science and Technology,2010,8(2):144-148.
7李宏雷,娄淑琴,郭铁英,陈卫国,王立文,简水生.A novel highly negative dispersion photonic crystal fiber[J].Optoelectronics Letters,2009,5(1):34-36. 被引量：1
8韩德栋,康晋锋,刘晓彦,孙雷,罗浩,韩汝琦.Fabrication and characteristics of high-K HfO2 gate dielectrics on n-germanium[J].Chinese Physics B,2007,16(1):245-248. 被引量：2
9陈娇娇,朴红光,罗昭初,熊成悦,章晓中.Programmable Logic Based on Large Magnetoresistance of Germanium[J].Chinese Physics Letters,2016,33(4):121-125. 被引量：1
10黄伟其,刘杨荣.Self-assembled germanium nano-structures by laser-assisted oxidation[J].Chinese Physics B,2006,15(2):389-393. 被引量：8

微电脑世界

2004年第24期

浏览历史

内容加载中请稍等...

IBM采用应变锗将晶体管工作速度提高到3倍

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史