摘要
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。
m T-shaped gate technology is successfully u sed in 10Gbps DWDM fabrication process.The optimized gate formation technology g uarantees well gate foot line,good repetition and uniformity are achieved in 100 mm Gs wafers.Good I-V and high frequency characteristics of HEMT are obta ined.Circuits yield in 100mm wafer is more than 70%.
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 2 1)
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 2 CB3 1190 1)资助项目~~
