90nm CMOS用多晶SiGe栅极技术
SiGe grid electrode technology for 90nm CMOS process
出处
《今日电子》
2004年第9期83-84,共2页
Electronic Products
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2田宗民,陈旭,张金中,张文余,谢振宇,郭建,姜晓辉,闵泰烨.栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究[J].真空科学与技术学报,2014,34(1):32-37. 被引量：4
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3于遥,张晶思,陈黛黛,郭睿倩,谷至华.PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响[J].物理学报,2013,62(13):525-531. 被引量：2
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5汉能李河君：直面薄膜晶硅王者之争[J].变频技术应用,2014,9(5):18-19.
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6刘翔,邓振波,王章涛,崔祥彦,贾勇.有机薄膜晶体管(OTFT)的研究进展[J].现代显示,2007(12):54-60. 被引量：5
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7张金中,张文余,谢振宇,陈旭,闵泰烨.栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善[J].真空科学与技术学报,2012,32(11):991-995. 被引量：6
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8中村均,易武秀.超晶格APD高速化的研究[J].光纤通信技术,1994(6):17-22.
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9田宗民,陈旭,谢振宇,张金中,张文余,崔子巍,郭建,闵泰烨.栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善[J].液晶与显示,2013,28(6):849-854.
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10梁永烨,杜红棉,裴东兴,刘帆,焦耀晗.溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究[J].电视技术,2015,39(9):66-70.
