场效应晶体管在低温下的实验研究

An Experiment Investigation of Field-Effect Transistors In the Region of Law Temperature

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摘要作者对场效应晶体管在温度变化范围为293K^10K之间进行了仔细的测试,并且分析和讨论了实验结果. Field-Effect Transistors were carefully measured in the region of law temperature and the results of the experiments were analyzed and discussed.

作者徐维杰刘录

机构地区黑龙江大学物理系

出处《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1993年第1期68-72,共5页 Journal of Natural Science of Heilongjiang University

关键词多数载流子跨导场效应晶体管 Majority Carrier Mutual Conductance Mobility of carrier

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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