摘要
在铁磁金属中只有钴具有单轴各向异性和高磁各向异性。以钴基合金薄膜作为高磁性材料已广泛用于储存和记录元件。钴薄膜的制备一般采用真空沉积法、化学镀膜法和射频溅射法等。这些方法各有特点,但制备过程中基片温度较高,沉积速率低,使钴薄膜的实际应用较困难。利用表面波激发微波等离子体技术制备钴薄膜尚未见文献报道。
Using a low-powered microwave generator and a Surfatron discharge cavity, cobalt filmswere synthesized on silica glass substrates from hydrogenolysis of Co(CH3COO)2 by Ar microwave plasma surface wave excitation. In addition, the chemical behavior of atomic hydrogen on the formation of cobalt film was studied and discussed.
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第7期935-936,共2页
Chemical Journal of Chinese Universities
基金
国家自然科学基金
关键词
表面波激发
微波等离子体
钴膜
Surface wave excitation, Microwave plasma, Cobalt film
