期刊文献+

SiO_2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响 被引量:2

The Influence of Thickness of SiO_2 on the Electron Accelerationin Cathodluminescence-Like Emission
下载PDF
导出
摘要 研究了有机 /无机复合结构ITO/SiO2 /MEH PPV/SiO2 /Al器件的类阴极射线发光性质 ,电子经过SiO2层加速后 ,激发MEH PPV层发光。发光除了MEH PPV激子发光峰外 ,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰。通过 2个发光峰随SiO2 层的厚度的变化规律 ,研究了SiO2 对电子的加速能力。 The authors investigated the property of cathodluminescence-like(CL-like) emission in the device of MEH-PPV sandwiched between two SiO 2 layers. The authors observed in addition to the inherent electroluminescence of MEH-PPV, a shorter emission peak which is considered to be corresponding to HOMO-LUMO transition. From the relative change of these two peaks with the variation of the thickness of SiO 2, The authors studied the electron acceleration ability of SiO 2.
出处 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期790-794,共5页 Spectroscopy and Spectral Analysis
基金 国家自然科学基金 (90 30 1 0 0 4 ) 高等学校博士学科专项科研基金 (2 0 0 2 0 0 0 4 0 0 4 ) 北京市自然科学基金 (2 0 52 0 1 5) 北京交通大学论文基金资助项目
关键词 二氧化硅厚度 类阴极射线发光 电子加速 异质结 有机发光器件 Cathodoluminescence-like emission Heterojunction Electron acceleration
  • 相关文献

参考文献13

  • 1Ono Y A.Electroluminescent Displays.Singapore:World Scientific Press,1995.3. 被引量:1
  • 2XU Xu-rong.Proceedings of 1994 EI,1994:42. 被引量:1
  • 3Tang C W,Vanslyke S A.Appl.Phys.Lett.,1987,51:913. 被引量:1
  • 4BurroughesJ H,BradlleyDDC,BrownABet al.Nature(London),1990,347:539. 被引量:1
  • 5Liu J,Shi Y,Ma L et al.J.Appl.Phys.,2000,88:605. 被引量:1
  • 6LeeJ K,YooDS,HandyESet al.Appl.Phys.Lett.,1996,69:1686. 被引量:1
  • 7KidoJ,Ohtaki C,HongawaK et al.Jpn.J.Appl.Phys.,1993,32:L917. 被引量:1
  • 8KidoJ,IizumiY.Appl.Phys.Lett.,1998,73:2721. 被引量:1
  • 9BaldoMA,BrienDF,YouYet al.Nature(London),1998,395:151. 被引量:1
  • 10Cleave V,Yahioglu G,Bamy P Le.Adv.Mater.,1999,11:285. 被引量:1

同被引文献21

引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部