NMOS预掺杂加剧关断状态漏电流
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2004年第3期76-77,共2页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1吴茹菲,尹军舰,刘会东,张海英.An 8~20GHz Monolithic SPDT GaAs pin Diode Switch[J].Journal of Semiconductors,2008,29(10):1864-1867. 被引量:3
-
2谢儒彬,吴建伟,陈海波,李艳艳,洪根深.STI场区加固NMOS器件总剂量效应[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(5):805-810. 被引量:10
-
3Liviu Pascu,Kepco,Flushing,NY.切换模拟或数字信号的开/关缓冲器[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(8):100-100.
-
4高滨.DM 50kW中波发射机开关控制电路原理及故障分析[J].内蒙古广播与电视技术,2013,30(4):67-69.
-
5周烨,李冰.一种Bipolar结构中的闩锁效应[J].电子与封装,2009,9(1):20-23. 被引量:1
-
6谌贵辉,张万里,彭斌,蒋洪川,赵泽宇,候德胜.串联RF MEMS开关的结构仿真[J].光电工程,2005,32(9):92-95. 被引量:4
-
7杨爽,赵明付,顾建忠,高兴振,孙晓玮.一种集成控制模块的微波SOI SPDT开关[J].微波学报,2016,32(3):89-92.
-
8史源,陈春红,邓小东,吴文.W波段单刀双掷开关的设计与仿真[J].微波学报,2012,28(S1):187-190. 被引量:1
-
9何凯杰.基于浅槽隔离的双轴应变硅CMOS制造工艺研究[J].经济技术协作信息,2009(12):155-155.
-
10Edwin A Mack.检查光纤束的LED闪光器[J].电子设计技术 EDN CHINA,2010(4):66-66.
;