变频器中电压模型的校正及整定方法
出处
《电气自动化》
北大核心
1993年第4期40-42,共3页
Electrical Automation
-
1周玉蛟,任侃,钱惟贤,王飞.基于光电二极管反偏的光电检测电路的噪声分析[J].红外与激光工程,2016,45(1):252-257. 被引量：28
-
2秦珊珊,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,舒斌.An analytical threshold voltage model for dual-strained channel PMOSFET[J].Chinese Physics B,2010,19(11):608-614. 被引量：1
-
3梁海莲,杨兵,顾晓峰,柯逸辰,高国平.基于BJT的ESD保护器件中维持电压的建模与分析[J].固体电子学研究与进展,2012,32(5):446-450. 被引量：1
-
4尹飞飞,徐征,赵谡玲,张福俊,陈跃宁,徐叙瑢.有机薄膜晶体管直流电流-电压模型的研究[J].光电子．激光,2013,24(3):476-480. 被引量：2
-
5Muhibul Haque Bhuyan,Quazi Deen Mohd Khosru.Effects of Temperature on Reverse Short Channel Effect in Pocket Implanted Sub-lO0 nm n-MOSFET[J].材料科学与工程（中英文版）,2010,4(7):18-23.
-
6半导体二极管[J].电子科技文摘,2003,0(12):22-23.
-
7张文良,杨之廉.深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型[J].Journal of Semiconductors,1997,18(11):849-854. 被引量：1
-
8邓婉玲,郑学仁,陈荣盛.基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型[J].固体电子学研究与进展,2008,28(2):248-252. 被引量：1
-
9伍裕江,聂在平,宗显政.接收天线等效电路的严格推导[J].电子科技大学学报,2008,37(4):508-510. 被引量：1
-
10李妤晨,张鹤鸣,张玉明,胡辉勇,王斌,娄永乐,周春宇.Two-dimensional threshold voltage model of a nanoscale silicon-on-insulator tunneling field-effect transistor[J].Chinese Physics B,2013,22(3):528-533.
;
