一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法被引量：2

Method to Avoid ARDE Lag of Silicon DRIE

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摘要在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异。为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型。在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异。为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型。

作者张洪海苑伟政马志波

机构地区西北工业大学陕西省微/纳米系统重点实验室

出处《航空精密制造技术》 2010年第3期9-11,共3页 Aviation Precision Manufacturing Technology

关键词 MEMS Lag效应刻蚀模型刻蚀速率 micro-electro-mechanical system Lag effect etching model etching rate

分类号 V26 [航空宇航科学与技术—航空宇航制造工程]

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相关文献

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航空精密制造技术

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