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微电子器件工业生产中的静电防护研究 被引量:2

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摘要 从ESD过程分析入手,对微电子器件工业生产中的静电来源以及泄放途径进行了剖析,介绍了4种静电放电模型,进而阐述了微电子器件工业生产中的静电防护技术以及静电防护体系,以确保静电防护的有效性。
出处 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第S1期91-93,108,共4页 Journal of Hebei University of Science and Technology
  • 相关文献

参考文献8

  • 1ABHISHEK R,MONCEF K,JEAN T.Modeling IC snapback characteristics under electrostatic discharge stress. IEEE transactions onElectromagnetic Compatibility . 2009 被引量:1
  • 2Standand Test Method for Electrostatic Discharge Sensitivity Testing-Human Body Model (HBM)-Component Level. STM 5.1-2007 . 被引量:1
  • 3Electrostatic Discharge (ESD)Sensitivity Testing Human Body Model (HBM). JESD 22-A114-E . 被引量:1
  • 4Human Body Model Electrostatic Discharge Test. AEC-Q 100-002-D . 被引量:1
  • 5Amerasekera E A,Campbell D S.An investigation of the nature and mechanisms of ESD damage in nMOS transistors. Solid State Electronics . 1998 被引量:1
  • 6Colvin J.The identification and analysis of latent ESD damages on CMOS input gates. Journal of Electrostatics . 1994 被引量:1
  • 7Wunsch D C,Bell R R.Determination of threshold failure levels of semiconductor diodes and transistors due to pulse power voltages. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1968 被引量:1
  • 8Test Methods and Procedures for Microelectronics. MIL-STD-883G . 被引量:1

同被引文献5

引证文献2

二级引证文献2

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