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掩膜对不准测量用的电压对比度测试结构

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摘要由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小,对准要求变得极具挑战性。测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列,每次与接地栅极的重叠部分数量不同。电压对比信号表明哪些触点正在触及栅极。把样品晶圆数据与光学对准数据进行了比较。阐述了更充分比较二种技术的精度必须要做的后续工作。

作者 Oliver D.Patterson Stephen R.Fox Roland Hahn

机构地区 IBM semiconductor research and development center KLA-Tencor Corporation

出处《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期136-141,共6页 Journal of Functional Materials and Devices

关键词光学对准触点栅条栅极晶圆掩膜测试结构电压

分类号 TB34-55 [一般工业技术—材料科学与工程]

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功能材料与器件学报

2013年第3期

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