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PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

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摘要 用传统的固态反应法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电陶瓷,在低频扭摆上采用强迫振动的方式,在0.05~4 Hz的频率范围内测量了PZT铁电陶瓷的内耗温度特征.在室温至 350℃的内耗-温度曲线上,290℃和150℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰P1和 P2,并且在50 ℃附近观察到一个较低的内耗峰.根据Ar-rhenius关系,分别计算得到P1的激活能E1=2.09eV,τ01=3×10-20s,P2的激活能E2=1.04eV, 02=8×10-14s,并且分析了 P1和 P2内耗峰的机制.
出处 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期253-254,共2页 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
关键词 PZT 铁电陶瓷 内耗
  • 相关文献

参考文献4

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