摘要
利用电子探针波谱仪(WDS)对保偏光纤的横截面进行了成分分析,得到了径向掺杂元素的分布以及应力区和芯区的实际几何形状.实验分析表明保偏光纤截面应力掺杂区成分分布比较明显,从背散射像可以看出,中心白色区域为光纤的Ge掺杂的芯部,两侧黑色区域为B掺杂的应力区.扫描电镜能谱分析得到光纤截面能谱图,从而得到光纤内的杂质种类,这也是和工艺过程中所掺杂的元素相对应的.同时,在测得的应力元形状的基础上,利用微元算法模拟计算双折射与应力元形状及掺杂元素浓度的关系,为新型应力元结构光纤的设计提供依据.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期358-361,366,共5页
Journal of Functional Materials
基金
国家高技术研究发展计划836项目资助
中国博士后科学基金资助
