单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能被引量：3

Synthesis and photoluminescence of single-crystalline α-Si3N4 nanowires

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摘要介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700 nm),发光峰位于567 nm.

作者解挺吴玉程张立德

机构地区合肥工业大学中国科学院固体物理研究所中国科学院固体物理研究所

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3027-3029,共3页 Journal of Functional Materials

基金国家重大基础研究"973"资助项目(1999064501)

关键词氮化硅纳米线制备气-固机制荧光

分类号 TN304.2+2 [电子电信—物理电子学]

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