低电压并五苯晶体管的制北

The preparation of low voltage pentacene thin film transistors

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摘要介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.

作者王东盛吴萃婷刘爱民

机构地区大连理工大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1361-1363,共3页 Journal of Functional Materials

基金国家自然科学基金资助项目(60306001)及校学科建设基金资助下完成的.

关键词有机场效应晶体管并五苯物理气相沉积

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功能材料

2004年第z1期

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