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硅集成电感元件的分析、设计与优化 被引量:1

Analysis, Design, and Optimization of Si Inductors
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摘要 利用采用FDTD(finite-difference time-domain method)方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟,并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外直径、线圈匝数等设计参数对电感的品质因数、电感值、电阻值等参数的频率特性的影响,进而提出了一种应用于片上集成电感的优化设计的方法.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期268-272,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA1Z1050)
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参考文献8

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同被引文献5

引证文献1

二级引证文献1

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