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Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺
MOCVD Preparation Method for Y2O3 Coating
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摘要
采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃~700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.
作者
付正
张立同
成来飞
龚磊
何国梅
罗立志
夏海平
机构地区
西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 厦门大学化学化工学院 厦门大学化学化工学院 厦门大学化学化工学院 厦门大学化学化工学院
出处
《航空制造技术》
2007年第z1期16-19,共4页
Aeronautical Manufacturing Technology
关键词
氧化钇
化学气相沉积
金属有机先驱体
基片
分类号
V26 [航空宇航科学与技术—航空宇航制造工程]
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航空制造技术
2007年 第z1期
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