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Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

MOCVD Preparation Method for Y2O3 Coating
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摘要 采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃~700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.
出处 《航空制造技术》 2007年第z1期16-19,共4页 Aeronautical Manufacturing Technology
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